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본 논문은 무선 센서분야를 위한 1MS/s rate의 저 전력 12-bit 2단계 저항 열 DAC를 제시하고 있다. 2단계 저항 열 구조를 채택함으로써 복잡함을 줄이고, 소비 전력을 최소화 하고 변환속도를 증가 시킬 수 있었다. 이 칩은 0.18 μm CMOS 공정에서 제작 되었으며, Die 면적은 0.76 μm x 0.56 μm 이다. 1.8V의 공급 전압으로부터 측정된 전력 소비는 1.8 mW 이다. 샘플링 주파수가 1MHz 이하에서 측정된 동적 동작범위(Spurious-Free Dynamic Range: SFDR)은 70dB 이다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 저 전력 DAC 구조
Ⅲ. 실험결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
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