GaN HEMT기반 차량용 1.5kW급 고효율 LDC 구현

김현빈; 김종수

doi:10.5370/KIEE.2020.69.2.276

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김현빈 (Daejin University) 김종수 (Daejin University)

저널정보: 대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제69권 제2호

발행연도: 2020.2

수록면: 276 - 282 (7page)

DOI: 10.5370/KIEE.2020.69.2.276

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This paper deals with how to maximize the efficiency of LDC for xEV by using GaN HEMT and improving control method. First, the characteristics of GaN HEMT are analyzed in detail and the considerations for applying them instead of conventional silicon MOSFETs to the primary side of LDC are described in detail. Second, the possibility of a phase shedding control scheme is presented to improve the low light-load efficiency due to the high step-down ratio of the LDC. Finally, the analysis results of considerations applying GaN HEMT-based synchronous rectifier instead of conventional fast recovery diodes to the secondary side of LDC are presented. The feasibility of the proposed efficiency maximization strategies is verified through a 1.5kW LDC laboratory prototype. The experimental results show high efficiency of more than 95% from 150W load condition and the maximum efficiency of 96.2%.

#GaN HEMT #GaN FET #LDC #Low voltage dc-dc converter #Phase shedding #high efficiency #Phase-shift Full-bridge converter #PSFB converter

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Shu Ji / 2013 / High-Frequency High Power Density 3-D Integrated Gallium-Nitride-Based Point of Load Module Design / IEEE Trans. Power Electron 28(9):4216~4226

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